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據報道，三星電子有限公司的最新高帶寬內存 (HBM) 芯片未能通過 Nvidia Corporation 的嚴格測試流程，該公司正面臨重大挫折。這些問題包括髮熱和功耗問題，影響了三星的 HBM3 和 HBM3E 芯片，後者於今年推出。這家韓國科技巨頭自去年以來一直在努力滿足 Nvidia 的要求，因爲這家美國跨國科技公司佔據了全球 AI 應用 GPU 市場約 80% 的份額。

滿足 Nvidia 的嚴格標準對於 HBM 製造商的聲譽和利潤成長至關重要。 4 月報告的三星 8 層和 12 層 HBM3E 晶片測試失敗的消息導致該公司股價下跌 2%。因此，競爭對手 SK Hynix Inc. 和 Micron Technology, Inc.（納斯達克股票代碼：MU）現在準備獲得更大的 HBM 市場份額。

生成式 AI 熱潮推動 HBM 需求旺盛

高頻寬記憶體（HBM）是一種動態隨機存取記憶體（DRAM）類型，其中晶片垂直堆疊以節省空間並降低功耗。 HBM 最初於 2013 年誕生，旨在提高圖形加速器的效能，在處理人工智慧應用和高效能運算的大量資料方面變得越來越重要。生成式 AI 的蓬勃發展顯著增加了對複雜 GPU 的需求，進一步推動了對 HBM 等高效能記憶體解決方案的需求。

生產HBM晶片的三大公司分別是三星、美光科技和SK海力士。雖然三星的目標是在第二季度開始大規模生產 HBM3E 晶片，並致力於透過與客戶的密切合作來優化其產品，但其競爭對手已經取得了重大進展。 SK海力士於3月下旬開始向Nvidia供應HBM3E，美光也宣布計畫向Nvidia供應自己的HBM3E產品。

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美光科技盤前備貨

隨著三星股價收盤下跌，美光科技公司在盤前交易中出現上漲。該公司收盤價為126.27美元，市值為1398.3億美元，過去五年的回報率令人印象深刻。美光最近發布了 HBM3E 記憶體產品，其能源效率顯著提高，並計劃在 2026 年推出下一個行業標準 HBM4，以擴大市場份額。

儘管前景樂觀，美光科技仍捲入了一項對Netlist, Inc. 有利的4.45 億美元專利審判判決。佔據更大份額。

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三星 HBM 晶片失敗後美光科技股票在盤前上漲的消息首先出現在 Tokenist 上。